[发明专利]一种将曝光平面对准成像平面的方法在审
| 申请号： | 202011442267.8 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112485983A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 卫荣汉;豆丽莎;杜夏瑢;高秋磊;许雁雅 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 450001 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 在微纳加工的光刻成型技术领域，本发明公开了一种将曝光平面对准成像平面的方法，可应用于微纳加工领域中的精密步进紫外光光刻机与微纳3D打印机上。包括：利用曝光基板最大边缘处的基板与光源距离误差，作为细部估算每一步进曝光点精微对准距离误差的方法，进而作为成像平面对准的补偿。由于微纳加工的基板中每一步进曝光点的距离都是以极微小距离等级的平移，进行每一步进的曝光，在此极微小距离间的曝光对准距离误差是很难估算的，因此本发明利用基板的最大边缘作为误差的量测，再用此量测结果去运算每一步进曝光位置的曝光对准距离误差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 曝光 平面 对准 成像 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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