[发明专利]一种太阳能电池片及其制备方法在审
| 申请号： | 202011422086.9 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112599635A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 张树德;魏青竹;刘玉申;况亚伟;赵保星;缪乾;符欣;连维飞;倪志春 | 申请（专利权）人： | 苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 李萍 |
| 地址： | 215500 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于P型硅片的太阳能电池片及其制备方法。该制备方法包括：A、提供制绒后的P型硅片；B、对P型硅片进行扩散形成P型轻掺杂层；C、对P型轻掺杂层进行选择性的开槽，使P型硅片的局部正面露出；D、对步骤C处理后的P型硅片进行二次扩散，在P型硅片的对应开槽区域的部分中形成P型重掺杂部；E、在P型硅片的正面和背面分别制备正面介质层和背面介质层；F、在正面介质层上印刷正面浆料，且至少部分正面浆料位于P型重掺杂部的正上方；在背面介质层上印刷背面浆料；G、烧结，其中正面浆料穿透正面介质层而和P型重掺杂部接触。本发明提升了填充因子FF，降低了载流子的传输损耗，提高光电转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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