[发明专利]一种太阳能电池片及其制备方法

说明书

本发明公开了一种基于P型硅片的太阳能电池片及其制备方法。该制备方法包括：A、提供制绒后的P型硅片；B、对P型硅片进行扩散形成P型轻掺杂层；C、对P型轻掺杂层进行选择性的开槽，使P型硅片的局部正面露出；D、对步骤C处理后的P型硅片进行二次扩散，在P型硅片的对应开槽区域的部分中形成P型重掺杂部；E、在P型硅片的正面和背面分别制备正面介质层和背面介质层；F、在正面介质层上印刷正面浆料，且至少部分正面浆料位于P型重掺杂部的正上方；在背面介质层上印刷背面浆料；G、烧结，其中正面浆料穿透正面介质层而和P型重掺杂部接触。本发明提升了填充因子FF，降低了载流子的传输损耗，提高光电转化效率。

技术领域

本发明属于晶硅太阳能电池领域，涉及一种太阳能电池片及其制备方法。

背景技术

目前的晶硅太阳能电池片通常在硅基体的表面上通过扩散掺杂P等元素，进而形成用于和正面电极形成欧姆接触的扩散层。例如中国专利CN106158986A公开的一种晶体硅太阳能电池片及其制备方法，其中，硅基体向光面依次具有扩散层、减反射层，扩散层与硅基体接触。减反射层上设有多条贯穿减反射层并与扩散层接触的向光面电极副栅线。这种太阳能电池片中，填充因子较低，载流子传输损耗较大，影响电池片的光电转化效率。

发明内容

针对上述技术问题中的至少一个，本发明提供一种太阳能电池片的制备方法，其提升了太阳能电池片正面的填充因子，进而提升了电池的光电转化效率。本发明还提供了一种太阳能电池片，其正面的填充因子较高，具有较高的光电转化效率。

为达到上述目的，本发明采用的一种技术方案如下：

一种太阳能电池片的制备方法，包括如下步骤：

A、提供制绒后的P型硅片；

B、对所述P型硅片进行扩散形成P型轻掺杂层；

C、对所述P型轻掺杂层进行选择性的开槽，使所述P型硅片的局部正面露出；

D、对步骤C处理后的P型硅片进行二次扩散，在P型硅片的对应开槽区域的部分中形成P型重掺杂部；

E、在P型硅片的正面和背面分别制备正面介质层和背面介质层；

F、在正面介质层上印刷正面浆料，且至少部分正面浆料位于所述P型重掺杂部的正上方；在背面介质层上印刷背面浆料；

G、烧结，制得正面电极和背面电极，其中正面浆料穿透所述正面介质层而和所述P型重掺杂部接触。

在一实施例中，步骤B制得的所述P型轻掺杂层的方阻值大于等于150Ω/sq。此步骤形成电池片的前表面场。

在一实施例中，步骤D制得的所述P型重掺杂部的方阻值为20～100Ω/sq。P型重掺杂部较P型轻掺杂层方阻值低，从而可使载流子从P型轻掺杂层流向P型重掺杂部。

在一实施例中，所述P型轻掺杂层的方阻值为200±50Ω/sq，暗复合电流J_0e10fA/cm²。

在一实施例中，所述P型重掺杂部的方阻值为60±30Ω/sq。

在一实施例中，所述步骤D中，先通过含有抛光添加剂的碱液对P型硅片的局部开槽区域进行清洗后，再进行二次扩散。

在一实施例中，步骤B中对所述P型硅片进行硼扩散形成掺硼的P型轻掺杂层；步骤D中对P型硅片进行二次硼扩散形成掺硼的P型重掺杂部。正面电极与P型重掺杂部相接触，P型重掺杂部的硼浓度较高，载流子从正面电极流向P型重掺杂部的阻值较低。