[发明专利]一种以掺杂铯的二氧化锡薄膜为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011419664.3 申请日: 2020-12-08
公开(公告)号: CN112420929A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 罗云荣;孙佳琪;王若莹;魏强;刘婧瑜;祁颖 申请(专利权)人: 湖南师范大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410081 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种以掺杂铯的二氧化锡薄膜为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,其特征在于,所述太阳能电池的结构从下至上依次为:透明导电衬底1、电子传输层2、钙钛矿吸光层3、碳化硅‑二氧化硅纳米聚合物层4和金属电极5。本发明的优点在于:一是以掺杂铯的二氧化锡薄膜为电子传输层具有更致密的表面和宽的能隙,能更有效地抑制载流子的复合,增加钙钛矿太阳电池的短路电流和开路电压;二是碳化硅‑二氧化硅纳米聚合物能有效提高载流子的利用率,钝化钙钛矿吸光层的表面缺陷,减少反射光损失,增加光吸收和光电流,提升太阳能电池的光电转换效率。
搜索关键词: 一种 掺杂 氧化 薄膜 电子 传输 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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