[发明专利]一种以掺杂铯的二氧化锡薄膜为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202011419664.3 | 申请日: | 2020-12-08 |
公开(公告)号: | CN112420929A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 罗云荣;孙佳琪;王若莹;魏强;刘婧瑜;祁颖 | 申请(专利权)人: | 湖南师范大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410081 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺杂 氧化 薄膜 电子 传输 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种以掺杂铯的二氧化锡薄膜为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,其特征在于,所述太阳能电池的结构从下至上依次为:透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、碳化硅-二氧化硅纳米聚合物层和金属电极。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述透明导电衬底为FTO导电玻璃或ITO导电玻璃或ZTO导电玻璃或石墨烯。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述电子传输层为掺杂铯的二氧化锡薄膜。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿吸光层为钙钛矿薄膜。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述碳化硅-二氧化硅纳米聚合物层为碳化硅-二氧化硅纳米聚合物。
6.一种如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,首先,取一块干净且干燥的透明导电衬底;接着,利用旋涂法或溶液沉积法或化学水浴法在透明导电衬底上制备掺杂铯的二氧化锡薄膜;然后,在掺杂铯的二氧化锡薄膜上利用旋涂法或气相沉淀法或蒸发法沉积钙钛矿薄膜;接着,用旋涂法或化学气相沉积法在钙钛矿薄膜上沉积碳化硅-二氧化硅纳米聚合物;最后,采用真空蒸镀法或丝网印刷法在碳化硅-二氧化硅纳米聚合物上沉积金属电极,即制得所述的太阳能电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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