[发明专利]一种金属辅助化学刻蚀离散型硅纳米孔图案的方法及装置有效
| 申请号： | 202011415540.8 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN112520690B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 陈云;董善坤;丁树权;施达创;侯茂祥;陈新;高健 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 | 代理人： | 朱培祺;单蕴倩 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属辅助化学刻蚀离散型硅纳米孔图案的方法，包括如下步骤：步骤一，清洗受体基底和供体基底；步骤二，在所述供体基底表面旋涂一层聚二甲基硅氧烷层；步骤三，在聚二甲基硅氧烷层上旋涂金属纳米粒子溶液；步骤四，在激光束关闭的情况下，将目标金属纳米粒子移动到激光焦点下方，将受体基底目标沉积位置移动到激光束焦点上方；步骤五，通过聚焦激光束照射金属纳米粒子。本方法能够将单个纳米级金属颗粒转移到硅衬底上，并且具有较高的定位精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 辅助 化学 刻蚀 离散 纳米 图案 方法 装置 | ||
【主权项】：
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