[发明专利]一种金属辅助化学刻蚀离散型硅纳米孔图案的方法及装置

权利要求书

1.一种金属辅助化学刻蚀离散型硅纳米孔图案的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，清洗受体基底和供体基底；

步骤二，在所述供体基底表面旋涂一层聚二甲基硅氧烷层，自然固化；

步骤三，稀释金属纳米粒子溶液，并旋涂在聚二甲基硅氧烷层上，自然干燥；

步骤四，在激光束关闭的情况下，将目标金属纳米粒子移动到激光焦点下方，同时将受体基底目标沉积位置移动到激光束焦点上方；

步骤五，通过聚焦激光束照射金属纳米粒子，使金属纳米粒子从供体基底释放并转移到受体基底上；

步骤六，将下一个待转移目标金属纳米粒子移动到激光焦点下，同时将受体基底的下一个待沉积目标位置移动到激光束焦点上方，重复步骤五；

步骤七，重复步骤六，最终将具有离散型图案的金属纳米颗粒沉积到受体基底上。

2.根据权利要求1所述的金属辅助化学刻蚀离散型硅纳米孔图案的方法，其特征在于：所述步骤一中选取一块玻璃盖玻片作为供体基底和一块硅片作为受体基底，分别使用无水乙醇、去离子水超声清洗，用氮气吹干表面。

3.根据权利要求1所述的金属辅助化学刻蚀离散型硅纳米孔图案的方法，其特征在于：所述步骤二中用移液枪取PDMS固化混合剂滴于在步骤一的供体基底上，用匀胶机旋涂均匀，取下供体基底在干燥、洁净环境中自然固化，得到一层柔软的、薄的聚二甲基硅氧烷层。

4.根据权利要求1所述的金属辅助化学刻蚀离散型硅纳米孔图案的方法，其特征在于：所述步骤三中用移液枪取稀释金属纳米粒子分散液滴于步骤三的供体基底的聚二甲基硅氧烷层上，用匀胶机旋涂后取下供体基底并自然干燥。

5.根据权利要求1所述的金属辅助化学刻蚀离散型硅纳米孔图案的方法，其特征在于：所述步骤四中通过光学系统中的CCD成像系统在计算机显示器上的成像情况以及计算机辅助控制纳米定位平台将目标金属纳米粒子、受体基底目标沉积位置移动到激光焦点上，调整激光束焦点进一步使目标金属纳米粒子在焦点下方、受体基底目标沉积位置移动到激光束焦点上方。

6.根据权利要求1所述的金属辅助化学刻蚀离散型硅纳米孔图案的方法，其特征在于：所述步骤五中连续波激光器的工作波长选取在1064纳米，功率为100mW/μm²。