[发明专利]一种减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构在审
申请号: | 202011413537.2 | 申请日: | 2020-12-04 |
公开(公告)号: | CN112530986A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 陈多金;旷章曲;王菁;张帅;孙伟;刘志碧;陈杰 | 申请(专利权)人: | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 郑立明;赵镇勇 |
地址: | 201210 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构,包括置于半导体基体中的感光元件、浅槽隔离、浅槽隔离区的复合注入层、介质层、接触孔以及置于正面绝缘介质中的金属互连线。在相邻的感光器件之间的浅槽隔离区形成一层复合注入层,复合注入层包含高浓度低能量N型掺杂、低浓度高能量N型多步掺杂以及低浓度中能量P型多步掺杂,复合注入层形成有效的浓度梯度并通过接触孔连接到外部偏压或电源上,复合注入层通过外部偏压形成的电场并在此电场的驱动下,不仅消除了来自衬底串扰的电子,而且也吸收了在浅槽隔离与硅基界面所产生的暗电流。 | ||
搜索关键词: | 一种 减小 电流 电学 图像传感器 像素 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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