[发明专利]一种减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构

权利要求书

1.一种减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构，其特征在于，包括置于半导体基体中的多个感光元件，相邻的感光元件之间设有浅槽隔离(202)，所述浅槽隔离(202)区域设有复合注入层；

所述半导体基体的正面设有介质层(206)，所述介质层(206)中设有金属互连线，并在对应所述复合注入层的部位设有接触孔(207)。

2.根据权利要求1所述的减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构，其特征在于，所述复合注入层包含高浓度低能量N型掺杂(203)、低浓度高能量N型多步掺杂(204)以及低浓度中能量P型多步掺杂(205)，所述复合注入层形成有效的浓度梯度并通过所述接触孔(207)连接到外部偏压或电源上。

3.根据权利要求2所述的减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构，其特征在于：

所述高浓度低能量N型掺杂(203)包括：As或P/10～50KeV/1E15～5E15；

所述低浓度高能量N型多步掺杂(204)包括:As或P/100～2000KeV/3E11～5E12；

所述低浓度中能量P型多步掺杂(205)包括：B/100～1000KeV/3E11～5E12。

4.根据权利要求3所述的减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构，其特征在于，所述半导体基体为硅基底(201)，所述感光元件为光电二极管(208)。

5.根据权利要求1至4任一项所述的减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构，其特征在于，所述复合注入层通过外部偏压形成电场，并在此电场的驱动下，不仅消除了来自衬底串扰的电子，而且也吸收了在浅槽隔离与硅基界面所产生的暗电流。