[发明专利]垂直双扩散晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202011408862.X | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112599600A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 陈斌;韩广涛 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体技术领域，提供了一种垂直双扩散晶体管及其制造方法，形成的该VDMOS器件以第一沟槽的中心轴线为轴对称结构，该VDMOS器件在漏极区域通过贯穿至第一埋层上表面的第一沟槽形成金属接触引出漏电极，且引出的漏电极位于该高压VDMOS器件远离衬底的顶部表面。由此可在BCD工艺中集成VDMOS器件，实现了低导通电阻和高电流的驱动能力，且无需从器件结构底部将漏极引出，提高了器件的集成密度。同时以纵向梯度分布的至少两层埋层结构代替漂移区与体区形成PN结，在器件反向击穿时利用连通至第一埋层中注入区的漏电极使该PN结接近平行平面结，有效提高该VDMOS器件的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 扩散 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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