[发明专利]垂直双扩散晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直双扩散晶体管，包括：

在衬底上依次层叠设置的第一掺杂类型的第一埋层、第二埋层和外延层；

间隔设置在所述外延层上的多个栅极结构，该多个栅极结构定义出至少一个的源极区域和漏极区域，且每个栅极结构的上表面金属接触分别引出到栅电极；

在每个所述源极区域设置有一个第一注入区和一个第二注入区，所述第一注入区和所述第二注入区的掺杂类型相反，且位于每个所述源极区域的所述第一注入区和第二注入区表面金属接触并共同引出到源电极；

设置在所述漏极区域上且交替排布的第一注入区、第二注入区和第一注入区，且交替排布的该第一注入区、第二注入区和第一注入区关于位于所述漏极区域中的该第二注入区的中心轴线对称；

在所述漏极区域中所述第二注入区的中心区域具有贯穿至所述第一埋层上表面的第一沟槽，分开位于该第一沟槽两侧的所述第二注入区的宽度相同且和位于相同侧的所述第一注入区金属接触引出到源电极；

设置在所述第一沟槽底部且位于所述第一埋层中的一第一注入区，该第一注入区的宽度小于所述第一沟槽的宽度，且该第一注入区的表面金属接触引出到漏电极，

其中，所述垂直双扩散晶体管以所述中心轴线为轴对称结构，且引出的所述漏电极与所述源电极均位于所述垂直双扩散晶体管远离所述衬底的顶部表面。

2.根据权利要求1所述的垂直双扩散晶体管，其中，还包括：

第一介质层，所述第一介质层填充所述第一沟槽并表面延伸覆盖在所述外延层和所述多个栅极结构的表面。

3.根据权利要求2所述的垂直双扩散晶体管，其中，所述第一埋层或所述第二埋层的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相同，并与所述衬底的掺杂类型相反，且所述第一埋层与所述第二埋层的掺杂浓度沿所述中心轴线的方向呈纵向梯度分布。

4.根据权利要求3所述的垂直双扩散晶体管，其中，所述第一埋层的掺杂浓度高于所述第二埋层的掺杂浓度，且所述外延层的掺杂浓度低于所述第二埋层的掺杂浓度。

5.根据权利要求4所述的垂直双扩散晶体管，其中，还包括：

第三埋层，所述第三埋层位于所述第二埋层与所述外延层之间，

所述第三埋层的掺杂类型与所述第一埋层的掺杂类型相同。

6.根据权利要求5所述的垂直双扩散晶体管，其中，所述第一埋层、第二埋层和所述第三埋层的掺杂浓度沿所述中心轴线的方向呈纵向梯度分布。

7.一种垂直双扩散晶体管的制造方法，包括：

在衬底上依次形成第一掺杂类型的第一埋层、第二埋层和外延层；

在所述外延层上经离子注入形成间隔分布的第一体区和多个第二体区，该第一体区和多个第二体区定义出至少一个的源极区域和漏极区域；

在所述外延层上淀积蚀刻形成多个栅极结构，该多个栅极结构横跨在两个相邻的第一体区和第二体区之间；

在位于相邻两个栅极结构之间的漏极区域的第一体区中经离子注入形成交替排布的第一注入区、第二注入区和第一注入区，且交替排布的该第一注入区、第二注入区和第一注入区关于位于所述漏极区域中的该第二注入区的中心轴线对称；

在位于所述栅极结构远离所述中心轴线一侧的源极区域的第二体区中经离子注入分别形成一个第一注入区和一个第二注入区，所述第一注入区和第二注入区的掺杂类型相反；

在所述漏极区域中所述第二注入区的中心区域利用深槽隔离工艺蚀刻形成贯穿至所述第一埋层上表面的第一沟槽，且分开位于该第一沟槽两侧的所述第二注入区的宽度相同；

在所述第一沟槽底部经离子注入在所述第一埋层中形成一第一注入区，该第一注入区的宽度小于所述第一沟槽的宽度；

在所述源极区域、漏极区域和所述栅极结构上形成金属接触分别引出到源电极、漏电极和栅电极，

其中，形成的所述垂直双扩散晶体管以所述中心轴线为轴对称结构，且引出的所述漏电极与所述源电极均位于所述垂直双扩散晶体管远离所述衬底的顶部表面。