[发明专利]一种防裂纹的AlN外延层制造方法有效
| 申请号： | 202011398693.6 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112382709B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 311222 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种防裂纹的AlN外延层制造方法，属于半导体光电子技术领域，衬底上刻蚀有凹陷结构，缓冲层在该凹陷结构中生长，在缓冲层上生长AlN外延层。本发明可以对边缘区域的面积进行调整控制，因此可以获得大面积无裂纹AlN外延层；衬底边缘区域可以形成裂纹阻断结构，阻止裂纹向中心区域延伸，提高AlN表面良率；中心凹陷区域的AlN和两侧AlN结合生长，形成晶格排列致密的AlN外延层，消除了一些不完整的断键，减小应力的产生，因此进一步消除了裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 裂纹 aln 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
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