[发明专利]一种防裂纹的AlN外延层制造方法有效
| 申请号： | 202011398693.6 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112382709B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 311222 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 裂纹 aln 外延 制造 方法 | ||
1.一种防裂纹的AlN外延层制造方法，其特征在于：为以下步骤：
（1）在衬底上刻蚀凹陷结构，具体步骤包括：
在衬底上划分中心区域和边缘区域，使衬底边缘区域围绕中心区域；
刻蚀所述衬底，使所述中心区域整体形成一个所述凹陷结构；所述凹陷结构包含侧壁和凹陷层；
（2）在形成有所述凹陷结构的所述衬底上生长缓冲层，所述衬底的中心区域的缓冲层厚度小于所述衬底的中心区域的凹陷深度；所述缓冲层的生长温度为600-650℃；
（3）在所述缓冲层上生长AlN外延层。
2.如权利要求1所述的防裂纹的AlN外延层制造方法，其特征在于：所述AlN外延层的顶面不低于所述衬底的顶面。
3.如权利要求1所述的防裂纹的AlN外延层制造方法，其特征在于：所述缓冲层和所述AlN外延层均为TMAl和NH3生长反应得到。
4.如权利要求3所述的防裂纹的AlN外延层制造方法，其特征在于：所述缓冲层和所述AlN外延层的生长原料相同，生长条件不同；所述缓冲层的生长温度低于所述AlN外延层的生长温度。
5.如权利要求1所述的防裂纹的AlN外延层制造方法，其特征在于：所述衬底和所述凹陷结构均为圆形；所述凹陷结构位于所述衬底的中心区域。
6.如权利要求1所述的防裂纹的AlN外延层制造方法，其特征在于：所述凹陷结构深度为1-50μm。
7.如权利要求1所述的防裂纹的AlN外延层制造方法，其特征在于：所述缓冲层生长压力为50-400mbar。
8.如权利要求1所述的防裂纹的AlN外延层制造方法，其特征在于：所述AlN外延层的生长温度为1000-1500℃，压力为30-500mbar。
9.如权利要求1所述的防裂纹的AlN外延层制造方法，其特征在于：所述缓冲层厚度为0-500nm，所述AlN外延层厚度为1-10μm。
10.如权利要求1所述的防裂纹的AlN外延层制造方法，其特征在于：所述衬底为蓝宝石、硅、碳化硅、氧化锌、铜或玻璃。
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