[发明专利]一种无电容型LDO的瞬态响应增强电路有效

专利信息
申请号: 202011394727.4 申请日: 2020-12-02
公开(公告)号: CN112527044B 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 姚和平;汪西虎;唐威;苏海伟 申请(专利权)人: 上海维安半导体有限公司
主分类号: G05F1/571 分类号: G05F1/571;G05F1/46;G05F1/575
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 党蕾
地址: 201323 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种无电容型LDO的瞬态响应增强电路,其中,包括:一输出控制支路,连接于一电压输入端和一电压输出端之间,以控制电压输入端的电压输入至电压输出端;一泄放支路,连接于电压输出端和地之间;一检测支路,连接于电压输出端和泄放支路之间,以检测电压输出端的输出电压;泄放支路用于提供一条输出到地的低阻通路,当输出电压出现尖峰脉冲时泄放支路打开,将输出电流中的瞬态尖峰电流泄放至地。有益效果:通过泄放支路将电压输出端的瞬态尖峰电流泄放至地,从而抑制电压输出端的电压上跳,达到增强LDO瞬态响应的目的,且通过设置输出控制支路,将输出极点移至高频处,提升LDO的频率稳定性,且结构简单、响应速度快,无需外接特定的电容及额外的外接电容引脚,可缩小芯片面积。
搜索关键词: 一种 电容 ldo 瞬态 响应 增强 电路
【主权项】:
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