[发明专利]一种无电容型LDO的瞬态响应增强电路

权利要求书

1.一种无电容型LDO的瞬态响应增强电路，其特征在于，包括：

一输出控制支路，连接于一电压输入端和一电压输出端之间，用于控制所述电压输入端的电压输入至所述电压输出端；

一泄放支路，连接于所述电压输出端和地之间；

一检测支路，连接于所述电压输出端和所述泄放支路之间，以检测所述电压输出端的输出电压；

当所述检测支路检测到所述输出电压中的瞬态尖峰电压时，通过泄放支路达到抑制输出电压过冲的效果；

所述检测支路包括：

一第一PMOS管，源极连接至所述电压输出端并形成所述检测支路的输入端，漏极连接至所述泄放支路的输入端并形成所述检测支路的输出端，控制端连接一反馈信号，以检测所述电压输出端的所述输出电压；

所述泄放支路包括：

所述第一PMOS管；

一NMOS管，控制端连接至所述第一PMOS管的漏极，漏极连接至所述电压输出端，源极接地并形成所述泄放支路的输出端；

所述输出控制支路包括：

一放大器，输入端连接至所述第一PMOS管的漏极；

一第二PMOS管，控制端连接所述放大器的输出端，源极连接至所述电压输入端，漏极连接至所述电压输出端并形成所述输出控制支路的输出端；

所述输出控制支路还包括一反馈单元，输入端连接至所述电压输出端，输出端连接至所述检测支路，用以输出所述反馈信号；

所述反馈单元包括一比较器，所述比较器的第一输入端连接一参考电压，第二输入端连接由所述电压输出端提供的一反馈电压，输出端连接所述第一PMOS管的控制端；

所述输出控制支路还包括一电流沉，输入端连接至所述第一PMOS管的漏极，输出端接地，以向所述放大器提供一偏置电流；

所述检测支路还包括一电阻，并联于所述电流沉，连接于所述第一PMOS管的漏极和地之间。

2.如权利要求1所述的瞬态响应增强电路，其特征在于，所述比较器由运算放大器形成。

3.如权利要求1所述的瞬态响应增强电路，其特征在于，所述电阻为多晶电阻。