[发明专利]半导体装置与其形成方法在审
| 申请号： | 202011392110.9 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114497218A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 黄崇勋 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置与其形成方法，半导体装置包括半导体基板、在半导体基板上的栅极氧化层以及在栅极氧化层上的栅极。栅极包括在栅极氧化层上的第一多晶硅层、在第一多晶硅层上的含氮的间层、在间层上的第二多晶硅层、在第二多晶硅层上的金属堆叠以及在金属堆叠上的覆盖层。借此，本发明的半导体装置，借由改变间层的材料或是增加间层数量，提高了多晶硅层对掺杂物穿透的阻力，进而降低了栅极漏电流发生的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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