[发明专利]半导体装置与其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体基板；

栅极氧化层，位于所述半导体基板上；以及

栅极，位于所述栅极氧化层上，且所述栅极包括：

第一多晶硅层，位于所述栅极氧化层上；

间层，位于所述第一多晶硅层上，其中所述间层包含氮；

第二多晶硅层，位于所述间层上；

金属堆叠，位于所述第二多晶硅层上；以及

覆盖层，位于所述金属堆叠上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层包括磷掺杂物或砷掺杂物。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层包括硼掺杂物。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一多晶硅层中的第一掺杂物浓度随着远离所述间层而下降。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二多晶硅层中的第二掺杂物浓度在所述第二多晶硅层的厚度内维持相同。

6.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体基板；

栅极氧化层，位于所述半导体基板上；以及

栅极，位于所述栅极氧化层上，且所述栅极包括：

多晶硅堆叠，位于所述栅极氧化层上；

至少两层间层，位于所述多晶硅堆叠内；

金属堆叠，位于所述多晶硅堆叠上；以及

覆盖层，位于所述金属堆叠上。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述至少两层间层包括氧化物、氮化物、或上述的组合。

8.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包括：

在半导体基板上形成栅极氧化层；以及

在所述栅极氧化层上形成栅极，包括：

在所述栅极氧化层上形成第一多晶硅层；

在所述第一多晶硅层上进行氮化作用，以形成第一间层；

在所述第一间层上形成第二多晶硅层；

在所述第二多晶硅层上形成金属堆叠；以及

在所述金属堆叠上形成覆盖层。

9.如权利要求8所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，进一步包括：

在所述第二多晶硅层上形成第二间层；以及

在所述第二间层上形成第三多晶硅层。

10.如权利要求9所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，形成所述第二间层包括进行氧化工艺或氮化工艺。