[发明专利]基于p型掺杂金刚石散热层的GaN HEMT及制备方法在审
| 申请号： | 202011384359.5 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112466943A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;程可;武玫;朱青;张濛;侯斌;杨凌;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06;H01L29/20;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于p型掺杂金刚石散热层的GaN HEMT及制备方法；该GaN HEMT包括自下而上设置的衬底、GaN材质的缓冲层、势垒层、介质层以及顶部散热层，还包括：源电极、漏电极以及栅电极；其中，在水平方向上，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间，所述顶部散热层位于所述栅电极和所述漏电极之间并与所述栅电极相接触；所述源电极、所述漏电极以及所述栅电极分别穿过所述介质层与所述势垒层相接触；所述栅电极的上端向所述漏电极的方向延伸，以覆盖所述顶部散热层的部分表面；所述顶部散热层为p型掺杂金刚石层。本发明可以提高GaN HEMT在微波大功率场景下的散热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 掺杂 金刚石 散热 gan hemt 制备 方法 | ||
【主权项】：
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