[发明专利]一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202011372182.7 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112646179B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 曹河文;许辉;祝春才 | 申请（专利权）人： | 浙江中科玖源新材料有限公司 |
| 主分类号： | C08G73/10 | 分类号： | C08G73/10;C08K9/06;C08K7/26;C08J5/18;C08L79/08;C01B33/12;B82Y40/00;H01L23/29 |
| 代理公司： | 合肥金律专利代理事务所(普通合伙) 34184 | 代理人： | 杨霞 |
| 地址： | 321100 浙江省金华*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括将聚丙烯酸和十六烷基三甲基溴化铵作为双模板剂，正硅酸乙酯作为硅源，采用模板法制备出“核‑壳”结构微球，再煅烧除去模板剂，得到多孔纳米粒子；再将该多孔纳米粒子与氨基硅烷偶联剂进行反应，得到表面氨基修饰的多孔纳米粒子；接着将该表面氨基修饰的多孔纳米粒子与二胺以及二酐单体进行聚合反应，得到含多孔纳米粒子的聚酰亚胺前体溶液；最后将该含多孔纳米粒子的聚酰亚胺前体溶液进行热亚胺化并成膜，得到所述低介电聚酰亚胺薄膜。本发明所述低介电聚酰亚胺薄膜，通过将多孔纳米粒子均匀分散在聚酰亚胺中，使所得聚酰亚胺薄膜的介电常数得以有效降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低介电 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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