[发明专利]一种抗辐射泄露的共形屏蔽SIP封装结构有效

专利信息
申请号: 202011362624.X 申请日: 2020-11-27
公开(公告)号: CN112490219B 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 李尔平;胡光来;刘卫锋 申请(专利权)人: 海宁利伊电子科技有限公司
主分类号: H01L23/60 分类号: H01L23/60;H01L23/31
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 林超
地址: 314400 浙江省嘉兴市海宁*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种抗辐射泄露的共形屏蔽SIP封装结构。本发明包括镀膜、塑封、球栅阵列和电路基板;在封装基板的一侧表面覆盖上塑封,在封装基板的另一侧表面覆盖球栅阵列和下塑封,在上塑封、封装基板、球栅阵列和下塑封的周围表面和上塑封的外表面均包覆有镀膜,球栅阵列外侧穿过下塑封和电路基板电连接,镀膜和电路基板之间具有间隙。相比于传统的金属盖技术,本发明的屏蔽结构紧贴封装器件,没有额外的增加封装器件的尺寸。相比于传统的、无表面走线的共形屏蔽方案,本发明能够在保证电路基板中表面走线存在的情况下,拥有良好的抗辐射泄露能力。
搜索关键词: 一种 辐射 泄露 屏蔽 sip 封装 结构
【主权项】:
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