[发明专利]热处理炉的前处理方法、热处理炉及晶片的制备方法在审
| 申请号： | 202011356818.9 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112928021A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 靍纯人;清水昭彦 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;梅黎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供可抑制由镍导致的污染的热处理炉的前处理方法、热处理炉和晶片的制备方法。晶片W的制备方法，所述制备方法使用在炉内具有将以碳化硅为主要成分的烧结物作为基材15a、且在其表面形成有碳化硅膜15b的构件11、15、18的热处理炉1，其中，使所述热处理炉1的炉内为被动氧化条件，在所述构件11、15、18的表面形成5μm以上的硅氧化膜15c后，在所述热处理炉1中投入晶片W，对晶片W进行热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 处理 方法 晶片 制备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜高股份有限公司，未经胜高股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011356818.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：镁粉阳极和包括此类阳极的电化学电池
- 下一篇：路由反射对等端点的自动发现
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
