[发明专利]热处理炉的前处理方法、热处理炉及晶片的制备方法在审
| 申请号： | 202011356818.9 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112928021A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 靍纯人;清水昭彦 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;梅黎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热处理 处理 方法 晶片 制备 | ||
1.热处理炉的前处理方法，所述热处理炉在炉内具有将含有碳化硅或硅作为主要成分的材料作为基材、且在其表面形成有碳化硅膜的构件，
所述热处理炉的前处理方法中，使热处理炉的炉内为被动氧化条件，从而在所述构件的表面形成5μm以上的硅氧化膜。
2.根据权利要求1所述的热处理炉的前处理方法，其中，所述被动氧化条件为1100℃以上且氧分压为80%以上。
3.根据权利要求1或2所述的热处理炉的前处理方法，其中，所述构件至少包含炉芯管、晶舟或热障。
4.热处理炉，所述热处理炉在炉内具有将含有碳化硅或硅作为主要成分的材料作为基材、且在其表面形成有碳化硅膜的构件，其中，在所述构件的表面形成5μm以上的硅氧化膜。
5.根据权利要求4所述的热处理炉，其中，所述构件至少包含炉芯管、晶舟或热障。
6.晶片的制备方法，所述制备方法使用热处理炉，所述热处理炉在炉内具有将含有碳化硅或硅作为主要成分的材料作为基材、且在其表面形成有碳化硅膜的构件，
所述晶片的制备方法中，
使所述热处理炉的炉内为被动氧化条件，从而在所述构件的表面形成5μm以上的硅氧化膜，然后，
在所述热处理炉中投入晶片，对晶片进行热处理。
7.根据权利要求6所述的晶片的制备方法，其中，所述被动氧化条件为1100℃以上且氧分压为80%以上。
8.根据权利要求6或7所述的晶片的制备方法，其中，所述构件至少包含炉芯管、晶舟或热障。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
