[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011354430.5 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN114551564A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡巧明;张烨;王哲 | 申请（专利权）人： | 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，包括有源区；隔离结构，位于基底中且环绕有源区，隔离结构顶面呈台阶状，包括朝向有源区的第一台阶部、侧壁与第一台阶部顶面相连的过渡台阶部、以及侧壁与过渡台阶部顶面相连的第二台阶部，第一台阶部、过渡台阶部和第二台阶部的顶面依次增高，第二台阶部顶面高于基底表面；栅氧化层，位于有源区的基底表面；栅极层，覆盖有源区的栅氧化层并延伸覆盖第一台阶部和过渡台阶部；栅极插塞，位于过渡台阶部的顶部上方且电连接栅极层。本发明使得位于过渡台阶部顶部的栅极层被保留，从而使栅极插塞与位于过渡台阶部顶部上方的栅极层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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