[发明专利]一种基于静电放电保护结构的场效应管有效
| 申请号： | 202011349190.X | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112466947B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 李晓静;曾传滨;闫薇薇;高林春;倪涛;单梁;王加鑫;李多力;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及场效应管静电保护技术领域，具体涉及一种基于静电放电保护结构的场效应管。该场效应管中，硅膜层中沿左右方向设置有第一阱区和第二阱区；第二N型重掺杂区包括第一子区和第二子区；第一N型重掺杂区和第一子区均设置在第一阱区的上部；P型重掺杂区和第二子区均设置在第二阱区的上部；第一多晶硅设置在第一阱区的顶面上；第二多晶硅设置在第二阱区的顶面上；硅化物阻挡层设置在第二N型重掺杂区上。本发明中在第二N型重掺杂区外还设置了P型重掺杂区，能够形成二极管的结构，并使该二极管的负极与场效应管的漏区直接连接，有效地限制了ESD电流，提高了MOS器件承受静电保护电流的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 静电 放电 保护 结构 场效应 | ||
【主权项】：
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