[发明专利]一种基于静电放电保护结构的场效应管有效
| 申请号： | 202011349190.X | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112466947B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 李晓静;曾传滨;闫薇薇;高林春;倪涛;单梁;王加鑫;李多力;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 静电 放电 保护 结构 场效应 | ||
1.一种基于静电放电保护结构的场效应管，其特征在于，包括：第一多晶硅、第二多晶硅、硅化物阻挡层、硅膜层、埋氧层和硅衬底层；
所述硅膜层、所述埋氧层和所述硅衬底层叠放设置；所述第一多晶硅、所述第二多晶硅和所述硅化物阻挡层均设置在所述硅膜层上；
所述硅膜层中并排设置有第一阱区和第二阱区；
所述第一阱区和所述第二阱区中的上部区域并排设置有第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区和P型重掺杂区，以在所述第一阱区中形成第一空白掺杂区，并在所述第二阱区中形成第二空白掺杂区；其中，所述第一空白掺杂区位于所述第一阱区中所述第一N型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区之间，所述第二空白掺杂区位于所述第二阱区中所述第二N型重掺杂区和所述P型重掺杂区；
所述第一多晶硅覆盖所述第一空白掺杂区的顶部；所述第二多晶硅覆盖所述第二空白掺杂区的顶部；
所述硅化物阻挡层覆盖所述第二N型重掺杂区的顶部端面。
2.根据权利要求1所述的场效应管，其特征在于，所述第一阱区为第一P型阱区；所述第二阱区为第二P型阱区；所述第一阱区和所述第二阱区沿左右方向间隔设置。
3.根据权利要求1所述的场效应管，其特征在于，所述第一阱区为第三P型阱区；所述第二阱区为N型阱区；所述第一阱区和所述第二阱区沿左右方向间隔设置或相邻设置。
4.根据权利要求1所述的场效应管，其特征在于，所述第一阱区的厚度和所述第二阱区的厚度均不超过所述硅膜层的厚度。
5.根据权利要求1所述的场效应管，其特征在于，所述硅化物阻挡层不低于所述第一多晶硅的厚度或所述第二多晶硅的厚度。
6.根据权利要求5所述的场效应管，其特征在于，所述第一多晶硅的厚度与所述第二多晶硅的厚度相同。
7.根据权利要求1所述的场效应管，其特征在于，所述第一N型重掺杂区的厚度、所述第二N型重掺杂区的厚度和所述P型重掺杂区的厚度均不大于所述第一阱区的厚度或所述第二阱区的厚度。
8.根据权利要求7所述的场效应管，其特征在于，所述第一N型重掺杂区的厚度、所述第二N型重掺杂区的厚度和所述P型重掺杂区的厚度均相同，所述第一阱区的厚度和所述第二阱区的厚度均相同。
9.根据权利要求1所述的场效应管，其特征在于，所述第一阱区的掺杂浓度和所述第二阱区的掺杂浓度均为1e15/cm3至1e18/cm3。
10.根据权利要求1所述的场效应管，其特征在于，所述第一N型重掺杂区的掺杂浓度、所述第二N型重掺杂区的掺杂浓度和所述P型重掺杂区的掺杂浓度均大于1e18/cm3。
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