[发明专利]光刻版及曝光机上料位置的校准方法有效

专利信息
申请号: 202011348942.0 申请日: 2020-11-26
公开(公告)号: CN112130414B 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 袁立春 申请(专利权)人: 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
主分类号: G03F1/42 分类号: G03F1/42;G03F9/00;G03F7/20
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 姚姝娅
地址: 312000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种光刻版及曝光机上料位置的校准方法,包括用于对校准晶圆进行上料位置校准的标记图形,标记图形包括:沿第一方向的多列第一图形;沿第二方向的多行第一图形,第二方向与第一方向相互垂直;其中,标记图形的四个角中至少有一个角无第一图形,标记图形沿第一方向的长度M和沿第二方向的长度N均能被校准晶圆的半径整除。通过光刻版上的标记图形,分别沿校准晶圆与第一方向和第二方向平行的半径由校准晶圆的边缘向内形成与标记图形对应的光刻图形,根据光刻图形在第一方向和第二方向上的实际位置和预设位置的偏差,进行位置修正,达到降低晶圆位置偏移产生的产品报废的目的。
搜索关键词: 光刻 曝光 机上料 位置 校准 方法
【主权项】:
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