[发明专利]光刻版及曝光机上料位置的校准方法

权利要求书

1.一种光刻版，包括用于对校准晶圆进行上料位置校准的标记图形，其特征在于，所述标记图形包括：

沿第一方向的多列第一图形；

沿第二方向的多行第一图形，所述第二方向与所述第一方向相互垂直；

其中，所述标记图形的四个角中至少有一个角无第一图形，所述标记图形沿第一方向的长度M和沿第二方向的长度N均能被所述校准晶圆的半径整除，所述第一图形沿第一方向的宽度为L1，相邻两列第一图形之间的间距为D1，所述第一图形沿第二方向的宽度为L2，相邻两行第一图形之间的间距为D2，所述宽度L1和L2、所述间距D1和D2均小于或等于预设精度，所述标记图形沿第一方向的长度M为宽度L1和间距D1之和的整数倍，所述标记图形沿第二方向的长度N为宽度L2和间距D2之和的整数倍。

2.根据权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述标记图形的四个角均无第一图形。

3.根据权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述第一图形至少包括矩形、三角形、圆形、椭圆形中的一种。

4.根据权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述M和所述N均不小于10毫米。

5.根据权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述宽度L1和L2相等，所述间距D1和D2相等，所述标记图形为正方形。

6.一种曝光机上料位置的校准方法，其特征在于，所述校准方法使用权利要求1-5任一项所述的光刻版，所述校准方法包括：

获取形成有光刻胶的校准晶圆；

根据上料参数，将所述校准晶圆对准放置于曝光机中；

使用所述光刻版至少对所述校准晶圆边缘区域的光刻胶进行曝光，显影后在所述校准晶圆上形成多个光刻图形；

根据所述光刻图形与所述校准晶圆边缘之间的位置关系，获取所述校准晶圆的位置偏移。

7.根据权利要求6所述的校准方法，其特征在于，还包括：

根据所述位置偏移校准所述上料参数，得到用于工艺晶圆上料的标准上料参数。

8.根据权利要求6所述的校准方法，其特征在于，所述光刻图形包括由第一图形形成的第一光刻图形和由未设置第一图形的角形成的第二光刻图形，所述根据所述光刻图形与校准晶圆边缘之间的位置关系，获取所述校准晶圆的位置偏移的步骤包括：

获取X轴与校准晶圆交界处的光刻图形中的第二光刻图形X1；

根据所述第二光刻图形X1和所述校准晶圆边缘在X轴方向上的距离，获取所述校准晶圆在X轴方向的位置偏移；

其中，所述X轴与校准晶圆的中心与晶圆标记中心的连线垂直相交于所述校准晶圆的中心。

9.根据权利要求8所述的校准方法，其特征在于，所述根据所述光刻图形与校准晶圆边缘之间的位置关系，获取所述校准晶圆的位置偏移的步骤还包括：

获取Y轴与校准晶圆交界处的光刻图形中的第二光刻图形Y1；

根据所述第二光刻图形Y1和所述校准晶圆边缘在Y轴方向上的距离，获取所述校准晶圆在Y轴方向的位置偏移；

其中，所述Y轴为所述校准晶圆的中心与晶圆标记中心的连线。

10.根据权利要求9所述的校准方法，其特征在于，所述光刻图形分别位于所述X轴的两侧和/或所述Y轴的两侧。

11.根据权利要求9所述的校准方法，其特征在于，所述第二方向平行于所述Y轴或所述第二方向平行于所述X轴。