[发明专利]一种静电卡盘、处理腔室及半导体处理设备在审
| 申请号： | 202011338932.9 | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114551202A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 金根浩;周娜;王佳;李琳;李俊杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静电卡盘、处理腔室及半导体处理设备，涉及半导体技术领域，用于在等离子体刻蚀或沉积工艺中，维持晶圆对等离子体反应的恒定温度，提升晶圆的良率。所述静电卡盘包括：静电卡盘本体、静电吸附部和冷却激光器。静电卡盘本体具有容纳腔。静电吸附部位于静电卡盘本体靠近晶圆的表面上，用于固定晶圆。冷却激光器设置在容纳腔内，用于向静电吸附部发射冷却激光，以冷却固定在静电吸附部上的晶圆。所述静电卡盘可以用于半导体处理设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 卡盘 处理 半导体 设备 | ||
【主权项】：
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