[发明专利]单面黑硅制绒方法及由其制作的单面黑硅

摘要

本发明公开了一种单面黑硅制绒方法及由其制作的单面黑硅，基于本发明所提供的单面黑硅制绒方法，具有金属催化离子的胶体仅覆于硅片的一侧表面，使得催化金属颗粒也仅沉积于硅片的相应表面，所制得的单面黑硅不会存在背面绕腐蚀的问题；而且在该方法的具体实施过程中，沉积于硅片表面的催化金属颗粒与硅片本身表面的平整度无关，只需要确保胶体内金属催化离子分布均匀即可实现硅片表面金属催化颗粒的均匀分布，进而较为容易使得所获得制绒面上的腐蚀坑分布均匀，具有较高的制绒质量。