[发明专利]单面黑硅制绒方法及由其制作的单面黑硅在审
申请号: | 202011332677.7 | 申请日: | 2020-11-24 |
公开(公告)号: | CN114551615A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 曹芳;叶晓亚;周思洁;邹帅;王栩生 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 宋启超 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单面 黑硅制绒 方法 制作 | ||
1.一种单面黑硅制绒方法,其特征在于,包括以下步骤:
获取硅片;
在所述硅片待制绒的一侧表面形成一层含有催化金属离子、络合剂及还原剂的胶体;
对印刷有所述胶体的所述硅片进行加热,以使所述催化金属离子被所述还原剂还原,形成附着于所述硅片表面的催化金属颗粒;
将所述硅片放入酸腐蚀液中进行金属催化化学腐蚀,以使所述硅片附着有所述催化金属颗粒的表面形成由腐蚀坑构成的制绒面。
2.根据权利要求1所述的单面黑硅制绒方法,其特征在于,所述胶体通过丝网印刷形成于所述硅片表面。
3.根据权利要求1或2所述的单面黑硅制绒方法,其特征在于,所述单面黑硅用于太阳能电池,所述太阳能电池具有设置于所述单面黑硅制绒面一侧的金属电极,形成于所述硅片表面的胶体在设置所述金属电极的对应位置处呈镂空状。
4.根据权利要求1或2所述的单面黑硅制绒方法,其特征在于,所述催化金属离子为Au+、Ag+、Cu2+、Pt2+、Fe3+、Ni2+或Pd2+中的至少一种。
5.根据权利要求1或2所述的单面黑硅制绒方法,其特征在于,所述络合剂含有胺基。
6.根据权利要求5所述的单面黑硅制绒方法,其特征在于,加热所述胶体的温度为80-200℃。
7.根据权利要求1或2所述的单面黑硅制绒方法,其特征在于,所述还原剂含有羧基。
8.根据权利要求1或2所述的单面黑硅制绒方法,其特征在于,所述酸腐蚀液包括质量百分比浓度为5%-20%的HF以及质量百分比浓度为1%-10%的氧化剂,所述氧化剂包括H2O2、HNO3及臭氧水中的至少一种。
9.根据权利要求1或2所述的单面黑硅制绒方法,其特征在于,所述制绒方法还包括采用含有H2O2、HCl的溶液对形成有制绒面的硅片进行清洗的步骤。
10.一种单面黑硅,其特征在于,由权利要求1-9任意一项所述单面黑硅制绒方法制作而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的