[发明专利]器件用热沉、半导体器件及器件用热沉的制备方法有效
| 申请号： | 202011327713.0 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112151479B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 雷谢福;宋院鑫;杨国文;张艳春;赵卫东 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术(苏州)有限公司;苏州度亘光电器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 钟扬飞 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种器件用热沉、半导体器件及器件用热沉的制备方法，本申请的器件用热沉包括：单晶碳化硅层、第一过渡层、第一金属堆叠层、第二过渡层和第二金属堆叠层，单晶碳化硅层具有两个相对设置的第一表面和第二表面，第一表面和第二表面均为毛面；第一过渡层设于第一表面上；第一金属堆叠层设于第一过渡层上；第二过渡层设于第二表面上；第二金属堆叠层设于第二过渡层上；其中，第一金属堆叠层与第二金属堆叠层的材质和层数不同。本申请采用单晶碳化硅层作为导热绝缘基板，导热率较高。再者，本申请通过单晶碳化硅层表面进行毛化处理，提高单晶碳化硅层的待加工表面与过渡层的结合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 用热沉 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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