[发明专利]器件用热沉、半导体器件及器件用热沉的制备方法

权利要求书

1.一种器件用热沉，其特征在于，应用于半导体器件，所述器件用热沉包括：

单晶碳化硅层，具有两个相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面均为毛面；

第一过渡层，设于所述第一表面上；

第一金属堆叠层，设于所述第一过渡层上；

第二过渡层，设于所述第二表面上；以及

第二金属堆叠层，设于所述第二过渡层上；

其中，所述第一金属堆叠层包括：

第一铜层，设于所述第一过渡层背离所述第一表面的表面上；

第一镍层，设于所述第一铜层背离第一过渡层的表面上；

第一金层，设于所述第一镍层背离第一铜层的表面上；以及

焊料附着层，设于所述第一金层背离第一镍层的表面上；

所述第二金属堆叠层包括：

第二镍层，设于所述第二过渡层背离第二表面的表面上；以及

第二金层，设于所述第二镍层背离第二过渡层的表面上。

2.根据权利要求1所述的器件用热沉，其特征在于，所述第一表面和所述第二表面上分别开设有至少一个加工槽，在每个所述加工槽内填充有填料。

3.根据权利要求2所述的器件用热沉，其特征在于，所述填料的材质包括铜，所述第一过渡层和所述第二过渡层的材质均包括钛。

4.一种半导体器件，其特征在于，包括功率部件以及权利要求1至3任一项所述的器件用热沉，所述功率部件设于所述器件用热沉上。

5.一种器件用热沉的制备方法，其特征在于，包括：

提供单晶碳化硅层，所述单晶碳化硅层具有两个相对设置的待加工表面；

对两个所述待加工表面分别进行毛化处理；

在两个所述待加工表面分别开设至少一个加工槽；

将所述加工槽填平；

在两个所述待加工表面分别形成过渡层；

在两个所述过渡层的表面分别形成金属堆叠层。

6.根据权利要求5所述的器件用热沉的制备方法，其特征在于，所述对两个所述待加工表面分别进行毛化处理，包括：

对两个所述待加工表面分别进行紫外激光处理。

7.根据权利要求5所述的器件用热沉的制备方法，其特征在于，所述加工槽的槽宽由内至外依次成递减设置。

8.根据权利要求7所述的器件用热沉的制备方法，其特征在于，所述加工槽的槽深为80~100um。

9.根据权利要求7所述的器件用热沉的制备方法，其特征在于，所述将所述加工槽填平，包括：

对所述待加工表面进行表面金属化处理，使所述加工槽被金属填平。

10.根据权利要求5至9任一项所述的器件用热沉的制备方法，其特征在于，两个所述待加工表面分别为第一表面和第二表面；

所述在两个所述过渡层的表面分别形成金属堆叠层，包括：

在位于所述第一表面处的所述过渡层上依次形成第一铜层、第一镍层、第一金层和焊料附着层；

在位于所述第二表面处的所述过渡层上依次形成第二镍层和第二金层。