[发明专利]原子级平整金属薄膜基底的制备方法在审
申请号: | 202011321965.2 | 申请日: | 2020-11-23 |
公开(公告)号: | CN112458406A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 万逸;阚二军;曾华凌;方鑫 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | C23C14/16 | 分类号: | C23C14/16;C23C14/18;G01Q30/00 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 刘海霞 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种原子级平整金属薄膜基底的制备方法。所述方法包先在具有原子级平整的基底表面蒸镀上所需的金属薄膜,然后在金属薄膜表面旋涂紫外固化胶,再将一片表面积略大于基底的石英玻璃放置在旋涂完固化胶的金属薄膜上,通过紫外辐照使胶水固化,最后机械解理得到原子级平整的金属薄膜表面以及可重复使用的基底。本发明的模版剥离法工艺简单,重复性好,模具可重复使用,制得的原子级平整的金属薄膜表面粗糙度低。 | ||
搜索关键词: | 原子 平整 金属 薄膜 基底 制备 方法 | ||
【主权项】:
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