[发明专利]一种负显影光刻工艺的仿真方法、负显影光刻胶模型、OPC模型及电子设备有效
| 申请号： | 202011306691.X | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112363372B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 谢理;高世嘉 | 申请（专利权）人： | 东方晶源微电子科技（北京）有限公司深圳分公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/30;G03F1/36 |
| 代理公司： | 深圳市智享知识产权代理有限公司 44361 | 代理人： | 罗芬梅 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 发明涉及集成电路光刻技术领域，尤其涉及一种负显影光刻工艺的仿真方法、负显影光刻胶模型、OPC模型及电子设备，包括步骤：S1、将光刻胶区域进行有限元划分以获得多个晶格单元；S2、基于弹性力学对一晶格单元进行应力分析，生成单元刚度矩阵，获得整体刚度矩阵；S3、获得关于一晶格单元的等效节点力，获得整体节点力矩阵；S4、对整体刚度矩阵以及整体节点力矩阵进行求解，求出关于光刻胶区域的整体节点位移；及S5、将整体节点位移转化为光场强度，利用有限元分析方法对选定的光刻胶区域进行分析，同时将光场对光刻胶的作用等效为作用力的形式，能很好的对热收缩效应过程中光刻胶的形变进行分析，提高光刻计算过程中的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 显影 光刻 工艺 仿真 方法 模型 opc 电子设备 | ||
【主权项】：
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