[发明专利]一种负显影光刻工艺的仿真方法、负显影光刻胶模型、OPC模型及电子设备

权利要求书

1.一种负显影光刻工艺的仿真方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1、基于有限元分析方法将选定的光刻胶区域进行有限元划分以获得多个晶格单元；

S2、设定光刻胶的形变为弹性形变，将光场对晶格单元的照射作用等效为作用力，基于弹性力学对一晶格单元进行应力分析，且通过应力与应变的关系生成关于一晶格单元的单元刚度矩阵，基于获得的一晶格单元的单元刚度矩阵集成关于所述光刻胶区域的整体刚度矩阵；

S3、定义每个晶格单元的节点所受的应力为节点力，获得关于一晶格单元的等效节点力，基于获得的等效节点力集成关于所述光刻胶区域的整体节点力矩阵；

S4、对所述整体刚度矩阵以及所述整体节点力矩阵进行求解，并基于求解结果求出关于所述光刻胶区域的整体节点位移；及

S5、将所述整体节点位移转化为光场强度。

2.如权利要求1所述的负显影光刻工艺的仿真方法，其特征在于：在上述步骤S2中获得的单元刚度矩阵如下：

公式中，E为杨氏模量，μ为泊松比，ε_i，η_j为节点两个方向对应的相对坐标；h为晶格的厚度；k_ij为节点坐标对应的刚度系数。

3.如权利要求2所述的负显影光刻工艺的仿真方法，其特征在于：在上述步骤S4中，步骤S4具体包括如下步骤：

S41、设定边界条件对所述整体刚度矩阵以及整体节点力矩阵进行求解；

S42、利用如下公式基于所述整体刚度矩阵以及所述整体节点力矩阵求解出整体节点力位移，整体刚度矩阵*整体节点位移＝整体节点力矩阵。

4.如权利要求3所述的负显影光刻工艺的仿真方法，其特征在于：

上述步骤S41的具体过程如下：

先求出关于一晶格单元的单元刚度矩阵，然后基于有限元分析方法获得整体刚度矩阵；

先求出一晶格单元的等效节点力，然后基于有限元分析方法获得整体节点力矩阵。

5.如权利要求1所述的负显影光刻工艺的仿真方法，其特征在于：所述晶格单元为正方形结构，其边长尺寸范围为3-10nm。

6.如权利要求1所述的负显影光刻工艺的仿真方法，其特征在于：在上述步骤S5中，通过线性差值方法将所述每个节点的节点位移转化为光场分布，所述步骤S5具体包括如下步骤：

S51、获得两个节点之间的原始距离以及每个节点的原始光场强度；

S52、设定每个晶格单元的节点的原始光场强度不变，晶格单元之间的距离随着节点位移的移动而改变，对两个节点之间的光场差和位移差求出导数，利用所述导数乘以两个节点之间的原始距离以获得新的光场强度。

7.如权利要求2所述的负显影光刻工艺的仿真方法，其特征在于：负显影光刻工艺的仿真方法还包括如下步骤：

S6、通过求解器求出杨氏模量E，和泊松比μ。

8.一种负显影光刻胶模型建立方法，其特征在于：其包括如权利要求1-7中任一项所述的负显影光刻工艺的仿真方法以及步骤：

S7、基于所述步骤S5获得的光场强度作为变量建立负显影光刻胶模型，设定光场分布为E(x,y)，且设定光刻胶中酸浓度的分布为光场分布的函数，即S(x,y)＝F(E(x,y))。

9.一种OPC模型建立方法，其特征在于：提供初始OPC模型并加入如权利要求8所述的负显影光刻胶模型。

10.一种电子设备，其特征在于：其包括一个或多个处理器；

存储装置，用于存储一个或多个程序，

当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现如权利要求1-7中任一项所述的负显影光刻工艺的仿真方法。