[发明专利]一种晶圆深孔电镀前处理润湿方法有效
| 申请号： | 202011306377.1 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112397422B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 王健;陈云利;李军;周志强;朱洋洋;刘斌 | 申请（专利权）人： | 苏州尊恒半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C25D7/12 |
| 代理公司： | 苏州拓源科佳知识产权代理事务所(普通合伙) 32533 | 代理人： | 赵艾亮 |
| 地址： | 215316 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆深孔电镀前处理润湿方法，首先将晶圆放置于载具内，并将载具搬运到密闭的装置内；进而将密闭的装置内的气体全部抽走；进一步的向装置内通一定量的水；进而振动装置工作带动密闭装置与其内的水和晶圆一起振动；保持一段时间后开始破真空工序：抽气装置打开使外部的气体进入密闭装置内，保持一段时间后再次进行抽真空工序：将密闭的装置内的气体全部抽走；再然后振动装置再次工作带动密闭装置与其内的水和晶圆一起振动；当振动工序再次结束后再次进行破真空工序：抽气装置打开使外部的气体进入密闭装置内。本发明提供一种晶圆深孔电镀前处理润湿方法，提高了硅晶圆的润湿效果，提高了后段电镀的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆深孔 电镀 处理 润湿 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
