[发明专利]一种氮化镓基有源器件的保护环有效
| 申请号： | 202011271888.4 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112382625B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 邹宇;陈志坚;赖俊凯;李斌 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/66;H01L29/778 |
| 代理公司： | 广州海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人： | 黄为;冼俊鹏 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基有源器件的保护环，涉及新一代信息技术。所述的保护环包括设置在衬底上围成闭环的欧姆接触层，所述欧姆接触层上层叠第一金属层；所述的第一金属层通过纵向通孔连接上方的第二金属层，所述第二金属层设有微带线，所述微带线串接集总电容后与接地通孔电性连接。优点在于，通过合理调整集总电容的大小，可以使保护环的接地阻抗降到最低，将环内有源器件产生的高频噪声有效吸收，并且导出至参考地平面。仿真测试表明，添加保护环可将高频噪声隔离度提高10dB以上。第一金属层的设置可以降低欧姆接触层的寄生电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 有源 器件 保护环 | ||
【主权项】：
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