[发明专利]一种氮化镓基有源器件的保护环有效
| 申请号： | 202011271888.4 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112382625B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 邹宇;陈志坚;赖俊凯;李斌 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/66;H01L29/778 |
| 代理公司： | 广州海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人： | 黄为;冼俊鹏 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 有源 器件 保护环 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化镓基有源器件的保护环，其特征在于，包括设置在衬底上围成闭环的欧姆接触层，所述欧姆接触层上层叠第一金属层；所述的第一金属层通过纵向通孔连接上方的第二金属层，所述第二金属层设有微带线，所述微带线串接集总电容后与接地通孔电性连接；
所述微带线、集总电容和接地通孔进行串联后构成串联RLC谐振网络；通过调节集总电容的大小，令串联RLC谐振网络在谐振频率附近的阻抗达到最小值。
2.根据权利要求1所述一种氮化镓基有源器件的保护环，其特征在于，所述的第一金属层或第二金属层或欧姆接触层或纵向通孔由TiPtAu制成。
3.根据权利要求1所述一种氮化镓基有源器件的保护环，其特征在于，所述的第一金属层厚度为600nm至700nm。
4.根据权利要求3所述一种氮化镓基有源器件的保护环，其特征在于，所述的第一金属层厚度为650nm。
5.根据权利要求1所述一种氮化镓基有源器件的保护环，其特征在于，所述的第二金属厚度为1.05um至1.45um。
6.根据权利要求5所述一种氮化镓基有源器件的保护环，其特征在于，所述的第二金属层厚度为1.25um。
7.根据权利要求1所述一种氮化镓基有源器件的保护环，其特征在于，所述的欧姆接触层厚度为180nm至240nm。
8.根据权利要求7所述一种氮化镓基有源器件的保护环，其特征在于，所述的欧姆接触层厚度为210nm。
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