[发明专利]一种异质薄膜结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011271579.7 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112382559A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;孙嘉良;林家杰;游天桂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/78;H01L29/267 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种异质薄膜结构及其制备方法，所述方法包括：提供一III‑V族化合物衬底，于III‑V族化合物衬底的注入面沉积保护层；于III‑V族化合物衬底的背面沉积辅助剥离层，背面与注入面相对，辅助剥离层的热膨胀系数小于III‑V族化合物衬底的热膨胀系数；自注入面进行离子注入，在III‑V族化合物衬底内部形成缺陷层；去除注入面上的保护层；提供一硅衬底，将硅衬底与III‑V族化合物衬底的注入面进行键合，得到键合结构；对键合结构进行加热退火处理，沿缺陷层剥离部分键合结构，得到异质结构；对异质结构进行后处理，得到异质薄膜结构。本发明能够解决现有技术中的离子束剥离技术存在的因离子注入剂量过大导致的转移薄膜质量较差的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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