[发明专利]通过氯代调控肖特基势垒的肖特基二极管的设计方法在审
申请号: | 202011267409.1 | 申请日: | 2020-11-13 |
公开(公告)号: | CN112467034A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 刘伟;孙超;苏桂荣 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | H01L51/40 | 分类号: | H01L51/40;H01L51/05 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 刘海霞 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种通过氯代调控肖特基势垒的肖特基二极管的设计方法。所述方法包括:(1)在Pt(111)表面桥位置处依次吸附对二氯苯、1,2,4,5‑四氯代苯或六氯代苯分子,利用DFT方法对吸附体系进行结构优化,得到稳定的化学吸附结构和物理吸附结构;(2)计算稳定吸附后不同体系的表面功函数变化量及肖特基势垒高度;(3)将吸附结构放在电路中,计算得到化学吸附和物理吸附的电流‑电压曲线,并得到二极管的整流比。本发明通过对苯分子氯代的方法实现有机分子在Pt(111)面上的双稳吸附,能够在同一体系中得到两个不同的界面吸附态,并基于两个吸附态不同的肖特基势垒高度及电流特性,设计得到可调控的肖特基二极管。 | ||
搜索关键词: | 通过 调控 肖特基势垒 肖特基 二极管 设计 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学,未经南京理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011267409.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种平衡梁履带底盘、天井钻机及天井钻机立机方法
- 下一篇:暖通漏水保护系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择