[发明专利]通过氯代调控肖特基势垒的肖特基二极管的设计方法

权利要求书

1.通过氯代调控肖特基势垒的肖特基二极管的设计方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)从铂体相中得到纯净的Pt(111)表面，构建4×4×1的Pt(111)表面并进行结构优化得到稳定的Pt(111)表面，并计算Pt(111)表面的功函数；

(2)将对二氯苯、1，2，4，5-四氯代苯或六氯代苯分子依次放在Pt(111)表面桥位置处，且分子分别设置两个不同的吸附高度：2埃和3埃，并对结构进行优化，得到稳定的化学吸附态结构和物理吸附态结构；

(3)计算两个吸附体系的表面功函数及功函数改变量，通过能级匹配推算界面肖特基势垒高度；

(4)通过改变金属表面的吸附分子的吸附状态，调控二极管的肖特基势垒高度。

2.根据权利要求1所述的设计方法，其特征在于，步骤1中，具体方法为：利用QuantumATK软件，导入铂单胞结构，对铂单胞进行切面，切出(111)表面并设置为3层，使用supercell功能进行扩胞至4×4×1，并且在Vienna Ab-initio Simulation Package(VASP)软件中采用PBE+TS^surf的DFT方法进行结构优化，得到稳定的4×4×1的Pt(111)表面，并在FHI-aims软件中采用PBE+TS^surf的DFT方法计算Pt(111)表面的功函数。

3.根据权利要求1所述的设计方法，其特征在于，步骤2中，具体方法为：利用QuantumATK软件构建对二氯苯、1，2，4，5-四氯代苯或六氯代苯分子，并在VASP中采用PBE+TS^surf的DFT方法进行结构优化；将优化后的分子依次摆放在Pt(111)表面的桥位置处，并且分子分别设置两个吸附高度，分别设为2埃和3埃，在VASP中采用PBE+TS^surf的DFT方法对吸附结构进行优化，分别得到化学吸附态和物理吸附态。

4.根据权利要求1所述的设计方法，其特征在于，步骤3中，具体方法为：利用FHI-aims软件，采用PBE+TS^surf的DFT方法分别计算对二氯苯、1，2，4，5-四氯代苯或六氯代苯与金属衬底形成的化学吸附体系和物理吸附体系中界面处的功函数(Φ’_M)，并与纯金属功函数值(Φ_M)作差得到功函数的变化量，计算公式为：ΔΦ＝Φ’_M-Φ_M；计算孤立对二氯苯、1，2，4，5-四氯代苯或六氯代苯分子的电子亲和力(EA)，并且分别计算对二氯苯、1，2，4，5-四氯代苯或六氯代苯的化学吸附态和物理吸附态的分子偶极的值(Φ_mole)，进而得到各个体系的界面偶极(BD)，计算公式为：BD＝ΔΦ-Φ_mole，通过能级匹配推算界面肖特基势垒高度，计算公式为：Φ_B＝Φ_M-EA-BD。