[发明专利]NOR flash单元结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种NOR flash单元结构，包括形成在半导体衬底上的有源区和隔离区，自下而上顺序形成在闪存存储区有源区上的隧穿氧化硅层、浮栅极、ONO介质层和控制栅，控制栅两侧的源极和漏极，其源极引出区和控制栅引出区的有源区和隔离区上形成有：逻辑区高压器件氧化硅层，其形成在源极两侧的有源区上；控制栅，形成在逻辑区高压器件氧化硅层和隔离区上；隔离侧墙，其形成在各控制栅和逻辑区高压器件氧化硅层的两侧；层间介质层，其覆盖控制栅、源极和隔离侧墙；以及，源极和控制栅极引出结构。本发明还公开了一种NOR flash单元结构制造方法。本发明能抑制接触孔与控制栅极之间短接和控制栅极之间的漏电。