[发明专利]一种用于半导体制造基台的水基中性清洗液有效
| 申请号： | 202011265446.9 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112280623B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 刘小勇;田博;侯琳熙;房龙翔 | 申请（专利权）人： | 福建省佑达环保材料有限公司 |
| 主分类号： | C11D1/825 | 分类号： | C11D1/825;C11D3/20;C11D3/28;C11D3/60 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 修斯文;蔡学俊 |
| 地址： | 362800 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体工艺用清洁材料制备技术领域，具体涉及一种用于半导体制造基台的水基中性清洗液。以质量百分数之和为100%计，该清洁液所用原料及其用量为：二元醇或二元醇醚5%~15%、吡咯烷酮类溶剂10%~25%、苄泽类表面活性剂1%~5%、烷基糖苷衍生物表面活性剂10%~20%、腐蚀抑制剂0.5%~1%，余量为水。本发明所得水基中性清洗液针对光刻工艺中由线型酚醛树脂为主要构成的光刻胶及其配套的湿电子化学品类残留，不但有优异的清洗能力，而且对基台材料无腐蚀性，其清洗工艺简单，无毒无残留。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 制造 中性 清洗 | ||
【主权项】：
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