[发明专利]一种用于半导体制造基台的水基中性清洗液

权利要求书

1.一种用于半导体制造基台的水基中性清洗液，其特征在于：以质量百分数之和为100%计，清洗液中所用原料及其用量为：二元醇或二元醇醚5%~15%、吡咯烷酮类溶剂10%~25%、苄泽类表面活性剂1%~5%、烷基糖苷衍生物表面活性剂10%~20%、腐蚀抑制剂0.5%~1%，余量为水；

所述烷基糖苷衍生物表面活性剂具体为烷基糖苷柠檬酸酯类表面活性剂，其化学结构式为：

，

其中，R为长碳链具10、12、14、16个碳原子的烷基，n为1或2；

所述腐蚀抑制剂为没食子酸烷基酯类腐蚀抑制剂，具体为没食子酸十二烷基酯、没食子酸十六烷基酯中的1种或2种。

2.根据权利要求1所述的水基中性清洗液，其特征在于：所述二元醇为乙二醇、二乙二醇、丙二醇中的任意1种或2种；

所述二元醇醚为乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丙醚、二乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丁醚中的任意1种或2种。

3.根据权利要求1所述的水基中性清洗液，其特征在于：所述吡咯烷酮类溶剂为N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-丙基吡咯烷酮、N-羟甲基吡咯烷酮、N-羟乙基吡咯烷酮中的任意1种或2种。

4. 根据权利要求1所述的水基中性清洗液，其特征在于：所述苄泽类表面活性剂为Brij 30、Brij 35、Brij52、Brij 56、Brij 58、Brij72中的任意1种或2种。