[发明专利]双波导分布式反馈半导体激光器及激光产生方法有效
| 申请号： | 202011264911.7 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112382924B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 刘泽秋;祝宁华;王欣;袁海庆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/22;H01S5/343;H01S5/042 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种双波导分布式反馈半导体激光器，包括：N面电极层(1)、衬底层(2)、缓冲层(3)、下波导层(4)、多量子阱有源层(5)、上波导层(6)、光栅层(7)、刻蚀自停止层(8)、包层(9)、欧姆接触层(10)、P面电极层(11‑12)，各层依次叠加，从欧姆接触层(10)表面指向衬底的方向刻蚀有平行的第一沟道(15)、第二沟道(16)和第三沟道(17)，第一沟道(15)与第二沟道(16)之间形成第一波导(13)，第二沟道(16)与第三沟道(17)之间形成第二波导(14)，第一波导(13)和第二波导(14)的尺寸相同，P面电极层(11‑12)设于欧姆接触层(10)、第一沟道(15)、第三沟道(17)表面，被第二沟道(16)分为两部分，分别对应为第一波导(13)和第二波导(14)的P面电极。本公开提供的激光器既可利用光栅层(7)的分布式反馈光栅进行模式选择，又能利用双波导的宇称‑时间对称性进行模式选择，具有高边模抑制比。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 分布式 反馈 半导体激光器 激光 产生 方法 | ||
【主权项】：
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