[发明专利]分栅快闪存储器及其形成方法在审
| 申请号： | 202011264165.1 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112530956A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 王旭峰;于涛;李冰寒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L29/423;H01L29/788;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种分栅快闪存储器及其形成方法，在所述分栅快闪存储器的形成方法中，在形成浮栅的同时形成了浮栅尖端，整个过程并没有增加工艺步骤，同时，新增的浮栅尖端增强了存储单元的擦除能力，大幅度提高了电流Ir1的数值，降低了擦除时擦除栅上的擦除电压，从而降低了读操作干扰，以及低电压读操作的分栅式闪存的静态功耗和动态功耗。另外还使得后续工艺形成的源线仅影响擦除效率，并不会对沟道产生影响，有助于改善存储单元的耐久度特性。 | ||
| 搜索关键词： | 分栅快 闪存 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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