[发明专利]一种降低侧壁缺陷复合的Micro-LED芯片结构及制备方法在审
| 申请号： | 202011256425.0 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112259652A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 寇建权 | 申请（专利权）人： | 天津赛米卡尔科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300385 天津市西青区经*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低侧壁缺陷复合Micro‑LED芯片结构及制备方法，在传统Micro‑LED芯片结构基础之上，该芯片结构的P型半导体材料层、P型重掺杂半导体材料层和N型材料传输层之间结构改变；P型重掺杂半导体材料层仅位于P型半导体材料层上方中间区域，N型材料传输层完全覆盖P型半导体材料层和P型重掺杂半导体材料层，其中N型材料传输层与部分P型半导体材料层直接接触；本发明提出的器件结构利用N型材料传输层与P型半导体材料层在接触界面处形成的反偏结，耗尽P型半导体材料层中的空穴，从而减小芯片侧壁区域的非辐射复合效应，同时还能够提高注入电流的横向限制作用，以此来减小显示像素点之间的光学串扰效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 侧壁 缺陷 复合 micro led 芯片 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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