[发明专利]一种降低侧壁缺陷复合的Micro-LED芯片结构及制备方法

权利要求书

1.一种降低侧壁缺陷复合的Micro-LED芯片结构，其特征是，P型重掺杂半导体材料层仅位于P型半导体材料层上方中间区域；N型材料传输层完全覆盖P型半导体材料层和P型重掺杂半导体材料露出层；N型材料传输层与部分P型半导体材料层直接接触。

2.如权利要求1所述的芯片结构，其特征是，P型半导体材料层边缘暴露部分的面积占其总面积的1％～80％。

3.如权利要求1所述的芯片结构，其特征是，N型材料传输层的材料为GaN、GaP、ZnO、ITO、石墨烯、AZO、Ni/Au或Al。

4.如权利要求1所述的芯片结构，其特征是，Micro-LED芯片为标准Micro-LED芯片中的任意一种，从下至上依次包括衬底、缓冲层、非掺杂半导体材料层、N型半导体材料层、多量子阱层、P型限制层、P型半导体材料层、P型重掺杂半导体材料层和N型材料传输层和相应的P型欧姆电极和N型欧姆电极。

5.一种降低侧壁缺陷复合的Micro-LED芯片结构制备方法，其特征是，包括如下步骤：

1)通过光刻和湿法刻蚀工艺，将P型重掺杂半导体材料层边缘区域刻蚀至暴露出P型半导体材料层，P型重掺杂半导体材料层位于P型半导体材料层上方中间区域，其占P型半导体材料层面积的20％～99％；

2)在得到的P型重掺杂半导体材料层和P型半导体材料层上表面蒸镀或二次外延生长N型材料传输层。