[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202011244380.5 申请日: 2017-05-26
公开(公告)号: CN112382576A 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 坂本健;上田哲也;市川庆太郎;吉冈佑毅 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/495;H01L25/07
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 目的是针对电极端子向半导体元件上表面所朝方向延伸的半导体装置,从单一引线框架集中高效地制造多个半导体装置。引线框架(2)具有:以带状排列的多个电路图案,具有芯片焊盘(2b)和设于芯片焊盘周围的电极端子部(2a);连结杆(2c);框部;及悬挂引线(2d),在引线框架处将半导体元件接合至芯片焊盘,分别将多个电极端子的端部和框部的连接部分、电路图案排列方向两端部处的框部和连结杆的连接部分、各电路图案间的框部的从与连结杆连接的部位至在排列方向延伸的框部的部位之间的连接部分切断,将电极端子部(2a)的端部弯折为向半导体元件上表面方向延伸,使电极端子部的比连结杆位于上方的部位及连结杆露出并将引线框架集中地树脂封装。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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