[发明专利]双向ESD保护器件、结构及制备方法

摘要

本发明提供一种双向ESD保护器件、结构及制备方法，ESD保护结构包括至少一个ESD保护结构单元，ESD保护结构单元包括基底、N阱、第一P阱、第二P阱、第一P注入区、第二P注入区、第三P注入区、第一N注入区、第二N注入区、第一导电栅、第二导电栅及功能层引出结构。本发明的双向ESD保护器件、结构及制备方法，通过前栅可以改变阱的电势，背栅不仅可以改变阱电势，还可以改变集电结的势垒，实现对触发电压的调制。无论正向还是反向的静电信号，都可以实现正负的调制，电压范围可变化而不影响其它器件，极大的增加了设计的灵活性以及系统的可靠性。本发明可采用多指结构设计，提升泄放电流能力。